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1纳米，第二代EUV光刻机曝光？
1纳米，第二代EUV光刻机曝光？
来源：快资讯 | 发布时间：2019-07-11 |
近日，有韩媒报道称，全球最著名的光刻机公司ASML公司正积极投资研发下一代EUV光刻机，这标志着，半导体制造工艺又或要升级一个新台阶，CPU芯片、手机芯片等不久后又要升级换代了？据悉，与现有的光刻机相比，第二代EUV光刻机最大的变化就是High NA（高数值孔径）透镜，而通过提升透镜规格使得新一代光刻机的微缩分辨率、套准精度两大光刻机核心指标提升70%，达到业界对几何式芯片微缩的要求。
而据之前ASML公司公布消息显示，ASML新一代EUV光刻机的量产时间是2024年，尽管最新的报道称下一代EUV光刻机2025年量产，但相比现在的EUV光刻机仅能量产7nm产品的情况下，已经是划时代的进步了。消息显示，在第二代EUV光刻机真正出现时，台积电、三星已经量产3nm工艺，甚至开始进军2nm、1nm产品阶段了。
目前，全球最先进的光刻机就是荷兰ASML公司生产的EUV光刻机，每台售价超过1亿美元，而且供不应求。据悉，2016年，ASML公司斥资20亿美元收购德国蔡司公司25%的股份，并投资数亿美元合作研发新一代透镜，而ASM公司L这么大手笔投资光学镜头公司就是为了研发新一代EUV光刻机。
2018年10月，ASML公司又与IMEC比利时微电子中心合作研发新一代EUV光刻机，目标是将NA从0.33提升到0.5以上，而从光刻机的分辨率公式——光刻机分辨率=k1*λ/NA中可以看出，NA数字越大，光刻机分辨率越高，所以提高NA数值孔径是下一代EUV光刻机的关键。
我们知道，在半导体制造过程中，最复杂也是最难的步骤就是光刻，成本能占到整个生产过程的1/3，因此，光刻机成为最重要的半导体制造装备。2019年，台积电、三星开始量产7nm EUV工艺产品。而到2020年，5nm开始量产，EUV光刻机或许又面临一次升级。
除此之外，中国内地最大的芯片代工企业中芯国际在2018年就成功预定了一台ASML的7nm EUV（极紫外）光刻机。当时，ASML负责人在公司财报会上透露称，2019年要出货30台EUV设备，这对于正在积极发展芯片产业的中国市场来说是个很好的消息。但截至目前，并没有那么多数量的EUV光刻机卖给中国公司。
